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金刚石多晶 | ||
直径 |
25.4 ± 0.3 mm |
50.8 ± 0.5 mm |
厚度 |
450 ± 30μm |
450 ± 30μm |
生长方式 |
MPCVD |
|
正面状态 |
Polished,Ra＜ 1.0 nm |
|
反面状态 |
Polished; Grinding |
|
热膨胀系数 |
1.3 (10-6K-1) |
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热导率 |
1000-2000W/m.K |
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总厚度偏差TTV |
≤5 mm |
≤10 mm |
边缘去除 |
≤3 mm |
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⠀
金刚石多晶 | |
晶体结构 |
立方晶体 |
禁带宽度(eV) |
5.47eV |
熔点（℃） |
4027℃ |
莫氏硬度(mohs) |
10 |
热导率(W·cm-1·℃-1) |
20W·cm-1·℃-1 |
热膨胀系数(℃-1) |
0.8×10-6 |
晶格常数(nm) |
0.3567 |
电子迁移率（cm-2·V-1·s-1） |
1600 |
击穿电场(MV·cm-1) |
10 |
JFM指数（power） |
5330 |
BFM指数(SW) |
14860 |
BHFM指数(RF) |
1080 |
折射率 |
2.417 |
江阴晶沐光电新材料有限公司
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