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介绍：化学式(α-Al2O3)，为六方晶格结构。化学性质非常稳定，不溶于水，耐强酸、强碱的腐蚀。莫氏硬度9级，熔点为2050℃，沸点3500℃，**工作温度可达1900℃。透光性好，热传导性和电气绝缘性，力学机械性能表现优秀，具有耐磨和抗划伤的特点。
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应用：LED（氮化镓基LED）、激光二极管（蓝光、紫外）、射频器件（5G通信、雷达）、功率电子器件（电动汽车、工业电源）。
产品规格书
蓝宝石常规C向单晶衬底（1~12英寸） | ||||||||
材料成分 |
>99.99%，High Purity， Mono-crystalline Al2O3 (KY) |
|||||||
直径 |
25.4mm |
50.8mm |
76.2mm |
100mm |
125mm |
150mm |
200mm |
300mm |
厚度 |
500μm |
430μm |
500μm |
650μm |
800μm |
1000μm |
1200μm |
2000μm |
端面晶向 |
C-plane（0001） off-angle toward M-axis（10-10） 0.2 +/- 0.1° |
0 ± 0.5° |
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C-plane（0001） off-angle toward A-axis（11-20） 0 +/- 0.1° |
0 ± 0.5° |
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定位边晶向 |
A-Plane（11-20） ± 1.0° |
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定位边长度 |
8mm |
16mm |
22mm |
30mm |
30mm |
47.5mm |
Notch |
Notch |
正面状态 |
Epi-polished,Ra<0.3nm |
Epi-polished,Ra<0.5nm |
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反面状态 |
SSP:Fine-ground,Ra=0.8-1.2um; DSP:Epi-polished,Ra<0.3nm |
DSP:Epi-polished,Ra<0.5nm |
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镭刻码面 |
Back side |
N/A |
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总厚度偏差TTV |
≤5μm |
≤8μm |
≤10μm |
≤10μm |
≤15μm |
≤20μm |
≤30μm |
≤30μm |
弯曲度BOW |
≤8μm |
≤10μm |
≤12μm |
≤15μm |
≤25μm |
≤25μm |
≤40μm |
≤45μm |
翘曲度WARP |
≤10μm |
≤12μm |
≤15μm |
≤20μm |
≤30μm |
≤30μm |
≤60μm |
≤60μm |
边缘去除 |
≤2 mm |
≤3 mm |
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产品性能表
蓝宝石单晶 Sapphire | |
晶体结构 |
六方晶体 |
禁带宽度(eV) |
/ |
熔点（℃） |
2040℃ |
莫氏硬度(mohs) |
9 |
热导率(W·cm-1·℃-1) |
0.46W·cm-1·℃-1 |
热膨胀系数(℃-1) |
6.7*10-6 // C-axis |
晶格常数(nm) |
a=4.76Å c=12.99Å |
折射率 |
1.762~1.777 |
透过率 |
测试样品：蓝宝石：直径76.2毫米×厚度4毫米 |
